Siliciumcarbid
Ein vielseitiger Werkstoff
Zusammenfassung
deSiliciumcarbid hat eine Reihe von Eigenschaften, die denen von Diamant gleichen, wie Härte, hohe chemische, thermische und mechanische Beständigkeit sowie ähnliche optische Eigenschaften. Wie elementares Silicium ist SiC aber auch ein Halbleiter, allerdings mit größerer Bandlücke. Aus dieser Kombination ergeben sich vielfältige technische Anwendungsmöglichkeiten. Die Ähnlichkeit mit Silicium und Diamant ist auf einen gleichen strukturellen Aufbau zurückzuführen, SiC zeichnet sich aber durch eine Vielzahl von Polytypen aus. Der größte Anteil an SiC, mit technischer Qualität, wird durch das Acheson-Verfahren hergestellt, die Reaktion von SiO2 mit Kohlenstoff. Kristalle hoher Reinheit und definierter Struktur werden durch Sublimation von Acheson-SiC erhalten. Zur Herstellung dünner SiC-Schichten sind CVD-Methoden am besten geeignet; SiC-Fasern können durch Thermolyse von Polycarbosilanen erzeugt werden.
Summary
enSilicon carbide has a number of properties comparable to that of diamond, such as hardness, high chemical, thermal and mechanical stability as well as similar optical properties. SiC is, on the other side, also a semiconductor as elemental silicon, but with a wider bandgap. Manifold possibilities for technical applications result from this combination of properties. The similarity with silicon and diamond can be traced back to the same structure type. SiC is, however, characterized by a multitude of polytypes. The largest proportion of SiC, with technical grade quality, is produced by the Acheson process, i.e. the reaction of SiO2 with carbon. Crystals of high purity and with a defined structure can be obtained by sublimation of Acheson-SiC. CVD methods are best suited for the production of thin SiC films, while SiC fibers result from thermolysis of polycarbosilanes.
