Eine neue Modifikation von Lanthanmonosilicid – lT-LaSi
Abstract
deBei der Reaktion von Lanthanmetall und Silicium wird in Gegenwart von LaBr3 bei 950 °C LaSi in einer bisher unbekannten Tieftemperaturmodifikation – lT-LaSi – erhalten. lT-LaSi wandelt sich bei 1100 °C in die bekannte Modifikation – hT-LaSi – um. Nach der Einkristallstrukturanalyse kristallisiert lT-LaSi in Cmcm mit a = 456.21(2), b = 1348.03(5), c = 662.59(6) pm. Die Si-Atome bilden cis-trans-cis-trans-Ketten mit alternierenden Abständen dSi–Si = 248 und 260 pm und sind durch die La-Atome trigonal prismatisch koordiniert. lT-LaSi zeigt metallische Leitfähigkeit.
Abstract
enA New Modification of Lanthanum Monosilicide – lT-LaSi
La metal and silicon react at 950 °C in the presence of LaBr3 to form LaSi with the hitherto unknown low temperature modification (lT-LaSi). lT-LaSi crystallizes in Cmcm with a = 456.21(2), b = 1348.03(5), c = 662.59(6) pm. The Si atoms are connected to form cis-trans-cis-trans chains with alternating distances of dSi–Si = 248 and 260 pm. They are coordinated in a trigonal prismatic fashion by the La atoms. lT-LaSi shows metallic conductivity.
