In situ Hochdruck- und Hochtemperatur-Untersuchungen an Siliciumsuboxiden mittels energiedispersiver Röntgenbeugung
Abstract
deDie röntgenamorphen Siliciumverbindungen Si2O3, H2Si2O4, HSiO1.5 und SiO wurden unter Hochdruck- und Hochtemperaturbedingungen mit energiedispersiver Röntgenbeugung (EDXD) in situ untersucht. Dazu wurde die Vielstempel-Hochdruckapparatur MAX-80 am HASYLAB, DESY Hamburg, verwendet. Bei vorgegebenem Druck von 45 kbar wird durch thermisch induzierte Disproportionierungsreaktionen außer bei SiO stets die Bildung von Coesit beobachtet. Kommerzielles SiO blieb unter den HP/HT-Bedingungen röntgenamorph, was darauf hindeutet, daß kein Silicium(II)-oxid im Festkörper vorliegt, sondern bereits ein auf atomarer Ebene disproportioniertes Gemenge aus Silicium und Siliciumdioxid.
Abstract
enIn situ High-Pressure- and High-Temperature Studies of Siliconsuboxides via Energy Dispersive X-ray Diffraction
The amorphous silicon compounds Si2O3, H2Si2O4, HSiO1.5, and SiO have been investigated under High-Pressure- and High-Temperature conditions in situ via energy dispersive X-ray diffraction with synchrotron radiation. The studies have been performed using the Multi Anvil High Pressure Device MAX-80, at HASYLAB, DESY-Hamburg, Germany. Except for SiO, at a pre-set pressure of 45 kbars the formation of Coesite was observed at heating. Commercially available SiO did not crystallize in any way, indicating that it seems not to consist of silicon(II)-oxide, but is in fact a mixture of silicon and silicondioxide, disproportionated on an atomic scale.
