The distinction of different kinds of thermally induced defects in silicon
DDR-9206 Hilbersdorf, GDR.
Abstract
enWhile thermally induced defects (TID) caused by the action of iron show a formation energy of E = 2.9 eV, TID's annihilating at room temperature has a formation energy of E = (1.2 ± 0.2) eV. Corresponding resistivity measurements with p-type Si of 0.1 to 10 Ωcm were carried out after quenching. The boron concentration being the upper limit for the formation, pair formation of boron with vacancies or Si self-interstitials is supposed to be the reason. Some peculiarities in the behaviour led to a better understanding of oxygen donors.
Abstract
deNeben den thermisch induzierten Defekten (TID) mit einer Bildungsenergie von E = 2,9 eV, welche auf die Wirkung von Eisen zurückgeführt werden, ergeben die bereits bei Raumtemperatur ausheilenden TID eine Bildungsenergie von E = (1,2 ± 0,2) eV. Dazu werden Messungen des spezifischen Widerstandes an p-Si von 0,1 bis 10 Ωcm nach Abschrecken durchgeführt. Da die Borkonzentration eine obere Grenze für die Bildung darstellt, wird eine Paarbildung von Bor mit Leerstellen oder Si-Eigenzwischengitteratomen als Ursache angenommen. Einige Besonderheiten im Verhalten liefern auch Anregungen zum Verständnis von Sauerstoffdonatoren.
