Volume 108, Issue 2 pp. 643-650
Original Paper
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Influence of in on transport properties and phase transition in Pb1−xSnxTe thin films

V. Parizek

V. Parizek

Institute of Physics, Charles University, Prague

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T. A. Chuong

T. A. Chuong

Institute of Physics, Charles University, Prague

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First published: 16 August 1988

Ke Karlovu 5, CS-12 116 Prague, Czechoslovakia.

Abstract

en

The influence of In doping on the transport properties and phase transition in Pb1−xSnxTe is studied in the temperature range 4.2 to 200 K at magnetic fields ranging from 0 to 7.2 T. To account for the decrease in the Hall coefficient RH in the region of the phase transition from cubic to rhombohedral structure we have used the theory of variable valency of In atoms in Pb1−xSnxTe. Further, this theory qualitatively explains the measured dependence of RH on temperature. The dependence of the transition temperature (Tc) on the magnetic field in the region of higher fields (B > 3 T) is described in the ultraquantum limit, the agreement between the measured and calculated Tc being quite good.

Abstract

de

Der Einfluß von In-Dotierung auf die Transporteigenschaften und den Phasenübergang in Pb1−xSnxTe wird im Temperaturbereich 4,2 bis 200 K in Magnetfeldern zwischen 0 und 7,2 T untersucht. Die Theorie der variablen Valenz der In-Atome in Pb1−xSnxTe wird benutzt, um die Abnahme des Hallkoeffizienten RH im Gebiet des Phasenüberganges von kubischer zu rhomboedrischer Struktur zu berücksichtigen. Diese Theorie erklärt auch qualitativ die gemessene Temperaturabhängigkeit von RH. Die Abhängigkeit der Übergangstemperatur Tc vom Magnetfeld wird für höhere Felder (B > 3 T) mit dem Ultraquanten-Grenzfall beschrieben. Die gemessenen und berechneten Werte von Tc stimmen gut überein.

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