ChemInform Abstract: ELECTRICAL CONDUCTIVITY IN ACCEPTOR-DOPED TANTALUM OXIDE AT ELEVATED TEMPERATURES
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Die Messungen an polykristallinem Ta2O5 mit Al- oder Cr-Dotierung bei O2-Partialdrücken von 10-18 bis 10-10 at und Temp. von 1000 und 1050°C zeigen eine Abnahme der Leitfähigkeit mit steigender Akzeptorkonzentration, wobei Cr und Al nahezu gleiche Wirkungen zeigen.
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Die Messungen an polykristallinem Ta2O5 mit Al- oder Cr-Dotierung bei O2-Partialdrücken von 10-18 bis 10-10 at und Temp. von 1000 und 1050°C zeigen eine Abnahme der Leitfähigkeit mit steigender Akzeptorkonzentration, wobei Cr und Al nahezu gleiche Wirkungen zeigen. Die Ergebnisse werden nach einem Majoritätsdefektmodell mit doppelt ionisierten Sauerstoff-Leerstellen und hinzugefügten Verunreinigungen beschrieben. Die Defekt-Chemie von Ta2O5 wird für den untersuchten O2-Partialdruckbereich durch die Akzeptor-Verunreinigungen dominiert.
