Physical Inorganic Chemistry
Full Access
ChemInform Abstract: PREPARATION AND PROPERTIES OF ANODIC OXIDE FILMS ON INDIUM ARSENIDE
First published: June 19, 1979
Abstract
In der (111)-Ebene geschnittene InAs-Einkristalle werden nach geeigneter Vorbehandlung (mechanisch und chemisch poliert, geätzt) in einem optimal 5 (Vol.-%) H3PO4 (d 1.69), 60 Isopropanol und 35 Glycerin enthaltenden Elektrolyten anodisch oxidiert (Stromdichte 3 mA/cm2, Klemmenspannung 130-140 V).
ChemInform Abstract
In der (111)-Ebene geschnittene InAs-Einkristalle werden nach geeigneter Vorbehandlung (mechanisch und chemisch poliert, geätzt) in einem optimal 5 (Vol.-%) H3PO4 (d 1.69), 60 Isopropanol und 35 Glycerin enthaltenden Elektrolyten anodisch oxidiert (Stromdichte 3 mA/cm2, Klemmenspannung 130-140 V). Die entstehenden Oxidschichten sind amorph, ihr spezifischer Widerstand ist größer als 1013 Ohm/cm.
