ChemInform Abstract: DIFFUSION LAYERS FORMED IN SILICON SUBSTRATES DURING THE EPITAXIAL GROWTH OF BORON PHOSPHIDE AND APPLICATION TO DEVICES

ChemInform Abstract

Das eptiaktische Wachstum von Borphosphid auf Si- Substraten im System B,H6-PH3 -H, kann so kontrolliert werden, daß entweder Diffusionsschichten vom n-Typ (P) oder soche vom p-Typ (B) entstehen. Bor und Phosphor bilden nur in kleinen Mengen im frühesten Wachstumsstadium den Ausgangspunkt der Diffusion, wogegen die anschließend wachsenden BP-Schichten die Eigenschaft einer Diffusionsquelle nicht mehr haben. Aufgrund dieses Verhaltens läßt sich eine Reihe Kombinationen von BP -Si-Heterostrukturen realisieren. Durch die Fertigung einer Solarzelle (n = 8,3%) mit nBP - nSi-psi-Struktur und eines nBP ° nSi-pSi- -inSi-′l′iransistors mit weitem Emitter-Bereich (β = 16) wird die Anwendbarkeit des Verfahrens aufgezeigt.