Drag Effects in Semiconductors with Position-Dependent Band Structure
Splai Bahlui Stîng, Corp. T, R-6600 Iassy, Romania.
Abstract
enIn a semiconductor with position-dependent band structure if on take into account the drag effects, the expressions for the kinetic coefficients contain terms in addition to those corresponding to the conventional components for such semiconductors. These expressions are developed for a nondegenerate and a degenerate semiconductor, in the case of a phonon—phonon drag. The relations can be used for a variety of materials including graded band gap semiconductors, graded heterojunctions and others.
Abstract
deIn einem Halbleiter mit einer positionsabhängigen Bandstruktur und unter Berücksichtigung von Dragerscheinungen enthalten die Ausdrücke für die kinetischen Koeffizienten zusätzliche Begriffe gegenüber denen, die den konventionellen Komponenten für diese Halbleiter entsprechen. Diese Ausdrücke werden für entartete und nichtentartete Halbleiter im Falle des Phonon—Phononendrag hergeleitet. Die Beziehungen können für eine Vielzahl von Materialien benutzt werden, einschließlich gradueller Heteroübergänge, Halbleiter mit gradueller Banlücke und andere.
