Volume 161, Issue 2 pp. 667-676
Original Paper
Full Access

LCAO Recursion Approach in k-Space Representations for the Treatment of Bulk and Surface Problems

W. Hergert

W. Hergert

Sektion Physik der Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg, Halle (Saale)

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P. Rennert

P. Rennert

Sektion Physik der Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg, Halle (Saale)

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First published: 1 October 1990
Citations: 6

Friedemann-Bach-Platz 6, DDR-4020 Halle (Saale), GDR.

Abstract

en

The recursion method in a k-space representation is used to calculate the electronic density of states for bulk and surface problems. The separability property of the Hamiltonian and the Green function is consequently used to avoid the discussion of the asymptotic behaviour of the recursion coefficients. The results of the recursion calculations in k-space representation are compared with recursion calculations in a local basis and conventional LCAO calculations. Results are presented for silicon. The connection of local and k-space representations for the treatment of adsorbate systems is discussed.

Abstract

de

Die Rekursionsmethode in einer k-Raum-Darstellung wird verwendet, um die elektronische Zustandsdichte zu berechnen. Die Separationseigenschaft von Hamiltonoperator und Greenscher Funktion im k-Raum wird ausgenutzt, um die Diskussion des asymptotischen Verhaltens der Rekursionskoeffizienten zu vermeiden. Die Ergebnisse der Rekursionsrechnungen in k-Raum-Darstellung werden mit Rekursionsrechnungen in einer lokalen Basis und konventionellen LCAO-Rechnungen verglichen. Ergebnisse für Silizium werden vorgestellt. Die Verbindung von lokalen und k-Raum-Darstellungen zur Behandlung von Adsorbatsystemen wird diskutiert.

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