Theory of the Free-Carrier Absorption in Zincblende Narrow-Gap Semiconductors
St. Wyspiańskiego 27, 50–370 Wrocĺaw, Poland.
Abstract
enFree-carrier absorption due to chemical disorder as well as to introduced intentionally periodic fluctuations of composition, is calculated in mixed semiconductors with the zincblende structure and dispersion relation that is typical for III–V and II–VI compounds. It is found that for low electron concentration, absorption coefficients due to chemical disorder and to ionized impurities are of the same order. Intentionally introduced periodic fluctuations of molar composition give an additional contribution to the absorption. This contribution for narrow period of the fluctuation (≈ 100 Å) has the form of a well defined peak.
Abstract
deEs wird die Absorption freier Träger berechnet, die durch chemische Unordnung sowie absichtlich eingeführte Schwankung der Zusammensetzung in gemischten Halbleitern mit Zinkblendestruktur mit einer für die III–V und II–VI-Halbleiter typischen Dispersionsrelation verursacht wird. Es wird festgestellt, daß für kleine Elektronenkonzentrationen der durch chemische Unordnung und ionisierte Störstellen verursachte Absorptionskoeffizient von derselben Ordnung ist. Die absichtlich eingeführte periodische Schwankung der Zusammensetzung liefert eine zusätzliche Absorption, die für kleine Schwankungsperioden (≈ 100 Å) die Form eines gut definierten Maximums hat.
