Charge-Sheet Model of a Proposed MISFET Photodetector
Mesra (Ranchi) 835215, India.
Abstract
enA charge-sheet model of a novel InGaAs hetero-gate metal-insulator-semiconductor-field-effect transistor (MISFET) is developed theoretically to examine its potential as a detector of intensity modulated optical signal. The study reveals that at a constant gate voltage the saturation drain current of the device can be controlled by the incident optical power. The surface potential at the drain end also decreases with increase of the incident optical power. The drain conductance is found to increase with the incident optical power at a constant drain voltage. This enables the device to be used as an optical detector and/or optically controlled amplifier in integrated optoelectronics.
Abstract
deEin Flüchenladungsmodell eines neuen InGaAs-Heterogate-Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekt-transistors (MISFET) wird entwickelt und theoretisch untersucht, urn sein Potential als Detektor für intensitütsmodulierte optische Signale zu untersuchen. Die Untersuchung zeigt. daß bei einer konstanten Gatespannung der Süttigungsdrainstrom des Bauelements durch eine einfallende optische Leistung gesteuert werden kann. Auch das Oberflüchenpotential am Drainende nimmt mit steigender optischer Leistung ab. Es wird gefunden, daß der Drainleitwert mit wachsender einfallender optischer Leistung bei konstanter Drainspannung anwüchst. Damit lüßt sich das Bauelement als optischer Detektor und/oder optisch gesteuerter Verstürker in integrierten optoelektronischen Bauelementen nutzen.
