Effect of Illumination on the Capacitance of a Proposed MIS Diode
Mesra (Ranchi) 835215, India.
Abstract
enA new metal-insulator-semiconductor (MIS) diode structure is proposed and studied theoretically to examine the effect of illumination on the characteristics of the device. The capacitance of the proposed structure is calculated in the dark as well as in various illuminated conditions. It is found that the diode capacitance can be controlled by varying the incident light intensity. By incorporating the capacitor in the tuned circuit of an oscillator it will be possible to convert the intensity modulated optical signal to the corresponding frequency modulated electrical signal. The device is also expected to find useful application in optical CCDs for solid-state imaging and optical tuning.
Abstract
deEs wird eine neue Metall Isolator-Halbleiter(MIS)-Diodenstruktur vorgeschlagen und theoretisch untersucht, urn den Einfluß einer Beleuchtung auf die Bauelementecharakteristik zu bestimmen. Die Kapazitanz der vorgeschlagenen Struktur wird sowohl für den Dunkelfall als auch für verschiedene Beleuchtungsbedingungen berechnet. Es wird gefunden, daß die Diodenkapazitanz durch Variation der Intensitüt des einfallenden Lichts gesteuert werden kann. Durch Einbau des Kondensators in einen abstimmbaren Oszillatorkreis wird es möglich sein, cin intensitütsmoduliertes optisches Signal in ein entsprechendes frequenzmoduliertes elektrisches Signal zu konvertieren. Es wird auch erwartet. daß das Bauelemenl eine nützliche Anwendung in optischen CCDs für Festkörperdarstellung und optische Abstimmung findet.
