The Influence of Copper on the Change of Cathodoluminescence in Semi-Insulating LEC-GaAs Wafers after Rapid Thermal Processing
Hausvogteiplatz 5-7, O-1086 Berlin, FRG.
Abstract
enSemi-insulating GaAs is treated by rapid thermal processing (RTP). Cathodoluminescence measure-ments are made to investigate the change of the lateral distribution of electrical active defects after annealing. Both, an increase and a decrease of CL-intensity can be observed, associated with a Cu in-diffusion in consequence of RTP. To explain the different CL-behaviour within the Cu-con-taminated crystal regions and the Cu-free regions, a change of the trap behaviour of EL2 is expected if a conversion of the conduction type takes place as a consequence of Cu in-diffusion.
Abstract
deInfolge der Kurzzeittemperung (RTP) von semiisolierenden LEC-GaAs-Scheiben werden in einer breiten Oberflächenschicht (ca. 100 μm) die Kathodolumineszenz (KL)-Eigenschaften des Materials erhebiich ge-ändert. Dies ist auf die Eindiffusion von Cu-Atomen zurückzuführen. Dabei wird sowohl eine Absenkung als auch eine starke Erhöhung der bandkantennahen KL-Intensität beobachtet. Um das unterschiedliche Lumineszenzverhalten zu erklären, wird angenommen, daß sich die Rekombinationseigenschaften des EL2-Defekts ändern, wenn sich infolge der Cu-Eindiffusion der Leitungstyp des Materials ändert.
