Defects in Low-Temperature Electron-Irradiated GaAs Studied by Positrons
Postfach 801140, D-7000 Stuttgart 80, FRG.
Abstract
enThe recovery of the positron lifetime in electron-irradiated GaAs varies with the energy of the irradiation electrons and with the measuring temperature. This recovery occurs in two main stages between 210 and 350 K as well as between 400 and 700 K, which are discussed in terms of the annealing of Ga- and As-vacancies, respectively.
Abstract
deDas Erholungsverhalten der Positronlebensdauer in elektronenbestrahltem GaAs hängt von der Energie der Bestrahlungselektronen und der Meßtemperatur ab. Die Erholung erfolgt in zwei Hauptstufen zwischen 210 und 350 K sowie zwischen 400 und 700 K, die im Rahmen des Ausheilens von Ga- und As-Leerstellen diskutiert werden.