Volume 103, Issue 1 pp. 101-105
Original Paper
Full Access

Defects in Low-Temperature Electron-Irradiated GaAs Studied by Positrons

R. Würschum

R. Würschum

Institut für Theoretische und Angewandte Physik der Universität Stuttgart

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H.-E. Schaefer

H.-E. Schaefer

Institut für Theoretische und Angewandte Physik der Universität Stuttgart

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First published: 16 September 1987
Citations: 10

Postfach 801140, D-7000 Stuttgart 80, FRG.

Abstract

en

The recovery of the positron lifetime in electron-irradiated GaAs varies with the energy of the irradiation electrons and with the measuring temperature. This recovery occurs in two main stages between 210 and 350 K as well as between 400 and 700 K, which are discussed in terms of the annealing of Ga- and As-vacancies, respectively.

Abstract

de

Das Erholungsverhalten der Positronlebensdauer in elektronenbestrahltem GaAs hängt von der Energie der Bestrahlungselektronen und der Meßtemperatur ab. Die Erholung erfolgt in zwei Hauptstufen zwischen 210 und 350 K sowie zwischen 400 und 700 K, die im Rahmen des Ausheilens von Ga- und As-Leerstellen diskutiert werden.

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