On the origin of large spiral steps on SiC growth faces
Varanasi-221005, India.
Abstract
enGrowth faces of SiC crystals are investigated by optical microscopy, chemical etching, and electron microscope replica technique. It is observed that large spiral steps are found to consist of a number of cooperating smaller steps due to screw dislocations, which are very closely spaced and are not resolved optically. Such steps get resolved due to preferential etching at the steps and rendered visible optically or in the electron-microscope replica pattern. The implications of these observations are discussed in relation to growth mechanism of polytypes.
Abstract
deWachstumsflächen von SiC-Kristallen werden durch optische Mikroskopie, chemische Ätzmethoden und Elektronenmikroskop-Replik-Technik untersucht. Es wird beobachtet, daß die großen Spiralstufen aus einer Anzahl von zusammenwirkenden kleineren Stufen bestehen, die durch Schraubenversetzungen hervorgerufen werden, die sehr eng benachbart sind und optisch nicht aufgelöst werden können. Derartige Stufen werden infolge von bevorzugter Ätzung an den Stufen aufgelöst und werden optisch oder in den elektronen-mikroskopischen Replikbildern sichtbar. Diese Beobachtungen werden bezüglich des Wachstumsmechanismus der Polytypen diskutiert.
