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The switching effect in crystalline semiconductors due to the screening of donors by conduction electrons
Abstract
enThe electric field dependences of the current density in partly compensated n-type semiconductors are computed in the case when the donor ionization energy depends on the concentration of conduction electrons and on the electric field strength. It is shown that the possibility of the switching effect depends on the temperature and on the compensation ratio.
Abstract
deDie Abhängigkeit der Stromdichte vom elektrischen Feld in teilweise kompensierten n-Typ-Halbleitern wird für den Fall berechnet, daß die Ionisationsenergie der Donatoren von der Leitungselektronendichte und der elektrischen Feldstärke abhängt. Es wird gezeigt, daß die Möglichkeit des Schalteffektes von der Temperatur und vom Kompensationsverhältnis abhängt.
