Verbrückende und terminale Koordination von Ga–Ga-Bindungen durch die Chelatliganden Imidotetraphenyldiphosphinat bzw. -dithiodiphosphinat
Abstract
deTetrakis[bis(trimethylsilyl)methyl]digallan(4) (1) reagiert mit Imidotetraphenyldiphosphinsäure zu zwei Produkten, die sich leicht durch Umkristallisieren voneinander trennen lassen: Zum einen entsteht unter Spaltung der Ga–Ga-Bindung die einkernige Verbindung Bis[bis(trimethylsilyl)methyl]-imidotetraphenyldiphosphinato-O,O′-gallium (2), in der eine Dialkylgalliumeinheit chelatartig durch einen Imidodiphosphinatrest koordiniert wird. Zum zweiten bildet sich unter Substituentenaustausch und Freisetzung von Bis(trimethylsilyl)methan eine Digalliumverbindung, 1,2-Bis[bis(trimethylsilyl)methyl]-bis(μ-tetraphenyldiphosphinato-O,O′)digallium (3), in der die Ga–Ga-Bindung (245,7 pm) durch zwei Imidodiphosphinato-Liganden überbrückt wird. Die entsprechende Reaktion von Digallan(4) 1 mit dem Schwefelderivat Imidotetraphenyldithiodiphosphinsäure verläuft dagegen unübersichtlich. Das zu 3 analoge Produkt mit zwei Imidodithiodiphosphinato-Liganden (5) wurde aber durch Umsetzung von Dialkyldi(μ-acetato)digallium (4) mit dem Lithiumsalz der Imidodithiodiphosphinsäure unter Abscheidung von Lithiumacetat erhalten. Bemerkenswerterweise nehmen die Chelatliganden hier keine verbrückende Position über der Ga–Ga-Bindung (249,9 pm) ein, sondern binden terminal an jeweils ein Galliumatom.
Abstract
enBridging and Terminal Coordination of Ga–Ga Bonds by the Chelating Ligands Imidotetraphenyldiphosphinate and -dithiodiphosphinate
Tetrakis[bis(trimethylsilyl)methyl]digallane(4) (1) reacted with imidotetraphenyldiphosphinic acid to yield two products, which were separated by recrystallization: The first one, bis[bis(trimethylsilyl)methyl]-imidotetraphenyldiphosphinato-O,O′-gallium (2), resulted from the cleavage of the Ga–Ga bond and contained a dialkylgallium unit, which was coordinated by a chelating imidodiphosphinato ligand. The digallium compound 1,2-bis[bis(trimethylsilyl)methyl]-bis(μ-tetraphenyldiphosphinato-O,O′)digallium (3) was formed as the second product by a substituent exchange reaction and the release of bis(trimethylsilyl)methane. Its Ga–Ga bond (245.7 pm) was bridged by two imidodiphosphinato ligands. In contrast, the reaction of digallane(4) 1 with the sulfur derivative imidotetraphenyldithiodiphosphinic acid afforded a complicated mixture of unknown products. A compound analogous to 3 containing two imidodithiodiphosphinato ligands (5) was, however, obtained in a moderate yield by the precipitation of lithium acetate, when we treated dialkyldi(μ-acetato)digallium (4) with lithium imidotetraphenyldithiodiphosphinate. Remarkably, the chelating ligands did not adopt a bridging position across the Ga–Ga bond (249.9 pm) similar to 3, but each one was terminally coordinated to one Ga atom.
