ScCoSb: der bisher valenzelektronenärmste Vertreter der ternären Übergangsmetallantimonide MM'Sb mit M–M-Bindungen
Abstract
deDas Antimonid ScCo1–xSb wird durch Aufschmelzen der Elemente im Lichtbogenofen hergestellt. Die isolierten Kristalle von ScCo1–xSb sind verdrillingt und kristallisieren im TiNiSi-Strukturtyp. Die Gitterparameter sind a = 680,62(6) pm, b = 425,65(5) pm, c = 737,77(8) pm, V = 213,74 106 pm3 (Raumgruppe Pnma, Z = 4). Neben starken Sc–Sb-, Co–Sb- und Sc–Co-Bindungen stabilisieren zu einem kleineren Ausmaß Sc–Sc-Bindungen die Struktur. Die Ergebnisse von Extended-Hückel-Rechnungen weisen auf metallischen Charakter von ScCoSb hin, der durch Widerstandsmessungen in Abhängigkeit von der Temperatur bestätigt wird.
Abstract
enScCoSb: the Most Valence-Electron-Poor Ternary Transition Metal Antimonide MM'Sb with M–M Bonding
The antimonide ScCo1–xSb was prepared by arc-melting the elements. ScCoSb crystallizes in the TiNiSi structure type, occurring as a drilling. The lattice parameters are a = 680.62(6) pm, b = 425.65(5) pm, c = 737.77(8) pm, V = 213.74 106 pm3 (space group Pnma, Z = 4). Besides strong Sc–Sb-, Co–Sb-, and Sc–Co bonding, Sc–Sc bonds stabilize the structure to a small extent. The results of Extended Hückel calculations point to metallic properties of ScCoSb, which are confirmed by measurements of the electrical resistivity as a function of temperature.
