Calculation of the Electronic Structure! of Disordered Hydrogen Adsorption on the Si(111) Surface
630090 Novosibirsk 90, USSR.
Máchova 7, 12138 Prague 2, Czechoslovakia.
Abstract
enThe local density of electronic states is calculated on the (111) surface of silicon with disordered adsorption of atomary hydrogen with an arbitrary degree of coverage. Computations are made by the recursion method and the method of generalized Bethe lattices. The dependence of the electronic density of states on the degree of coverage of the surface by hydrogen is investigated. The results obtained by the recursion method and the generalized Bethe lattice method are compared with those obtained by other methods and by the experiment and a good overall agreement is found. The contribution of hydrogen and silicon atomic states into the electronic structure of the Si(111) surface is analyzed.
Abstract
deEs werden Ergebnisse zur Berechnung der lokalen Dichte von Elektronenzuständen auf (111)-Flächen von Silizium für den Fall mitgeteilt, daß eine fehlgeordnete Adsorption von atomarem Wasserstoff mit beliebigem Bedeckungsgrad vorliegt. Berechnungen werden mittels einer Rekursionsmethode und der Methode des verallgemeinerten Bethegitters durchgeführt. Die Abhängigkeit der elektronischen Zustandsdichte vom Bedeckungsgrad der Oberfläche durch Wasserstoff wird untersucht. Die durch die Rekursionsmethode und die Methode des verallgemeinerten Bethegitters erhaltenen Ergebnisse werden mit denen anderer Methoden und dem Experiment verglichen und es wird gute Gesamtübereinstimmung gefunden. Der Beitrag von Wasserstoff-und Siliziumatomzuständen zur Elektronenstruktur der Si(111)-Fläche wird analysiert.
