Optically Induced Nernst-Ettinghausen Effect in the Far Infrared and Strong Magnetic Fields in HgTe and InSb†
Dedicated to Prof. Dr. Dr. h. c. Dr. E. h. P. GÖRLICH on the occasion of his 80th birthday
00-681 Warsaw, Poland.
8700 Leoben, Austria.
Abstract
enVoltage generation in strong magnetic fields (0 to 6 T) in HgTe and n-InSb under far-infrared illumination is observed. The fine structure of the observed voltage versus the magnetic field is interpreted as being due to transitions between Landau sublevels. A new method of experimental determination of the nature of the observed voltage is presented. It is shown that for both the materials investigated, the observed phenomenon is due to the optically-induced Nernst-Etting- hausen effect. From the qualitative analysis it is concluded that at low temperatures and in quantisizing magnetic fields, the phonon drag is the main process responsible for the observed voltage in both, InSb and HgTe.
Abstract
deEs wird das Auftreten einer Spannung in HgTe und n-InSb unter Bestrahlung im fernen Infrarot in starken Magnetfeldern (0 bis 6 T) beobachtet. Die Feinstruktur der beobachteten Spannung in Abhängigkeit vom Magnetfeld wird durch Übergänge zwischen Landau-Subniveaus erklärt. Eine neue Methode der experimentellen Bestimmung der Natur der beobachteten Spannung wird vorgeschlagen. Es wird gezeigt, daß für beide untersuchten Materialien das beobachtete Phänomen durch den optisch induzierten Nernst-Ettinghausen-Effekt hervorgerufen wird. Die qualitative Analyse führt zu dem Schluß, daß bei niedrigen Temperaturen und in quantisierenden Magnetfeldern der Phononen-Drageffekt der für die beobachtete Spannung in InSb und HgTe hauptsächlich verantwortliche Prozeß ist.
