Bound Phonons†
Dedicated to Prof. Dr. Dr. h. c. Dr. E. h. P. Görlich on the occasion of his 80th birthday
4 Place Jussieu, 75230 Paris Cédex 05, France.
Abstract
enThe strong electron-phonon coupling, occurring when the energy of the electronic excitation is comparable to that of the LO mode, is treated in two cases: (i) the electronic state is a localized impurity level and (ii) the electronic excitation is an interband transition continuum between valence or conduction bands in degenerate n- and p-type silicon. In the first case the mixed bound electron-phonon state has as many bound-phonon levels as electronic excitation energies, deduced from detailed band structure, coming in close coincidence with the LO-phonon energy. In the second case the electron-phonon coupling results in frequency shifts and phonon line deformations due to phonon binding to the electronic states.
Abstract
frLe couplage fort électron-phonon qui apparaǐt lorsque l'énergie de l'excitation électronique est comparable à celle du mode LO, est traité dans deux cas: (i) celui où l'état électronique est un niveau d'impureté localisé et (ii) celui où l'exitation électronique est un continuum de transitions interbandes entre des bandes de valence et des bandes de conductions dans du silicium dégénéré de type p ou n. Dans le premier cas, l'état mixte a autant de niveaux de phonons liés que d'énergies d'exitations électroniques déduitcs de la structure de bande détaillée venant en coïncidence avec les énergies de phonons LO. Dans le deuxième cas le couplage électron-phonon se traduit par un déplacement en fréquence et une déformation de bande dues à la liaison du phonon aux états électroniques.
