Evidence of Two Paramagnetic Defects in WO3-Doped V2O5
Centre de St.-Jérǒme, 13397 Marseille Cedex 04, France.
75000 Paris, France.
Abstract
enThe nature of paramagnetic defects in crystalline V2O5 can be drastically modified by adding very small quantities of doping impurities. Until now, the semiconducting properties of such crystals are interpreted by using a two level hopping model. Spin–lattice relaxation time measurements show that two kinds of paramagnetic defects exist in WO3-doped V2O5. One is associated with the doping impurity but the other one is not. It corresponds to the intrinsic paramagnetic defects due to the non-stoichiometry of V2O5.
Abstract
frL'addition de faibles quantités d'impuretés dans V2O5 cristallin, peut modifier radicalement la nature des défauts paramagnétiques. Jusqu' à ce jour, les propriétés semiconductrices de ce matériau ont été interprétées à l'aide d'un modéle de conduction par saut mettant en jeu deux niveaux. Des mesures de temps de relaxation montrent qu'il existe deux types de défauts paramagnétiques dans V2O5 dopé par WO3. L'un est associé à l'impureté dopante, l'autre non. Ce dernier correspond aux défauts paramagnétiques intrinséques dus à la non-stoechiometrie de V2O5.
