The Peculiarities of the Cathodoluminescence at Graded Ga1−xAlxAs Heterojunctions
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Abstract
enThe peculiarities of the cathodoluminescence (CL) are investigated at graded Ga1−xAlxAs single heterostructures which are characterized by a change of the chemical composition x at the heterojunction within an extended range ⪆ 100 nm. The width of the graded range can be determined by X-ray microanalysis. The depth-distribution function of electron–hole pairs determining the cathodoluminescence is measured at angle lapped samples. Differences between depth-distribution function and generation function allow conclusions about transport processes at the heterojunction. The relationship between the gradient of the chemical composition and the transport of excess carriers near the heterojunction is investigated.
Abstract
deEs werden die Besonderheiten der Kathodolumineszenz an Ga1−xAlxAs-Einfachheterostrukturen untersucht, bei denen sich die chemische Zusammensetzung x am Heteroübergang über einen ausgedehnten Bereich 7gap; 100 nm ändert. Die Breite des gradierten Bereiches kann durch Röntgenmikroanalyse bestimmt werden. Die Tiefenverteilungsfunktion der die Kathodolumineszenz bestimmenden Elektron–Loch-Paar-Verteilung wird an Schrägschliffen gemessen. Abweichungen der Tiefenverteilungsfunktion von der Generationsfunktion erlauben Rückschlüsse auf Transportprozesse am Heteroübergang. Der Zusammenhang zwischen dem Gradienten der chemischen Zusammensetzung und dem Transport von Überschußladungsträgern am Heteroübergang wird untersucht.
