The importance of the excitation volume for the determination of the minority carrier diffusion length
Invalidenstr. 110, DDR-1040 Berlin, GDR.
Abstract
enA new model is proposed for the calculation of the electron beam induced barrier current (BC) on surfaces perpendicular to the p-n junction involving an experimentally obtained electron-hole pair generation source. The BC profiles computed describe excellently the experimentally found results also for high primary energies of electrons and short diffusion lengths. Especially the part concave from the bottom near the p-n junction and the ratio of the BC values for various primary energies at constant positions can be explained with the proposed model. The investigation of GaP:N diodes shows the influence of the Zn-diffusion conditions on the diffusion length in the n- and p-region.
Abstract
deEin neues Modell für die Berechnung des elektronenstrahlinduzierten Barrierenstromes an Flächen senkrecht zum pn-Übergang, basierend auf einer experimentell bestimmten Elektron–Loch-Generationsfunktion, wird vorgestellt. Die numerisch berechneten Barrierenstromprofile geben eine exzellente Beschreibung der experimentellen Befunde auch für hohe Primärenergien der Elektronen und kurze Diffusionslängen. Insbesondere der von unten konkave Anteil nahe am pn-Übergang und das Verhältnis der Barrierenstromwerte am konstanten Ort für verschiedene Primärenergien können mit dem vorgeschlagenen Modell erklärt werden. Die Untersuchung von GaP:N-Dioden führt zu dem Ergebnis, daß die Diffusionslängen im n- und p-Gebiet durch die Zn-Diffusionsbedingungen beeinflußt werden.
