A study of the resistivity and the thermoelectric power of thin films of Sb and Bi
Islamabad, Pakistan.
Abstract
enThe electrical resistivity and thermoelectric power are measured as a function of the film thickness on vacuum deposited antimony and bismuth films. The experimental results are in good agreement with the approximate form of the size effect theory of Fuchs-Sondheimer. There is some indication of oscillation in the resistivity data of bismuth films in the range of small thicknesses (20 to 70 nm), which may be related to the quantum size effect. However, no such oscillation is observed in antimony films. The resistivity and the thermoelectric power approach the values close to those of well-ordered bulk antimony and bismuth when extrapolated to infinite thickness. The thin films are used for the detection of short laser pulses. Pulses from a Q-switched Nd-glass laser are detected. A rise time (i.e. from 10 to 90%) of about 10 ns and a decay time (i.e. 90 to 10%) of about 60 ns is measured.
Abstract
frLa resistivite electrique et la pussiance thermoelectrique sont mesurees en fonction de l'epaisseur du film sur des depots sous vide de films d'antimoine et de bismuth les resultats experimentaux sont en bon accord avec la forme approximative de la theorie de l'effet de grandeur de Fuchs-Sondheimer. Des indications de l'oscillation de la resistivite ont ete observes dans le cas de films de bismuth de petite epaisseur (20 à 70 nm), qui peuvent etre liees a l'effet de grandeur quantique. Aucune oscillation semblable n'a ete observee dans le cas des films d'antimoine. Les valeurs de la resistivite et de la puissance thermoelectrique s'approchent guand elles sont extrapolees pour une epaisseur infinie, de celles de grandes quantites bien ordonnees d'antimoine et de bismuth. Les films minces ont ete utilises pour la detection de courtes impulsions d'un laser verre-Nd a controle Q. Un temps de croissance (c.a d. de 10 a 90%) etait d'environ 10 ns, et le temps de decroissance (c. a. d. de 90 a 10%) etait d'environ 90 ns.