Volume 87, Issue 1 pp. 235-252
Original Paper
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Electron microscope observation of the structure and behaviour of stacking fault tetrahedra and single vacancies in gold crystals irradiated by 2 MeV electrons

N. Ajika

N. Ajika

Department of Applied Physics, Osaka University

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H. Hashimoto

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Y. Takai

Y. Takai

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First published: 16 January 1985
Citations: 11

Yamadaoka, Suita, Osaka 565, Japan.

Abstract

en

Single small stacking fault tetrahedra (SFT) adjoining stacking fault tetrahedra and vacancies in gold thin crystals produced by irradiation with 2 MeV electrons are observed in an atomic scale by 100 keV high resolution electron microscope, and compared with theoretical images calculated with and without considering the distortion around them. The contrast of very small SFT which are formed by coagulation of several vacancies and also interstitial atoms is discussed by comparing the observed images and theoretical ones which are calculated by considering the distortion. It is also discussed that the single vacancies near the bottom face of the specimen crystal give much less bright contrast than those near the top surface. In situ observations of the behaviour of stacking fault tetrahedra under electron beam irradiation are also made.

Abstract

de

Einzelne kleine Stapelfehlertetraeder (SFT), die durch Bestrahlung mit 2 MeV-Elektronen in der Nähe von Stapelfehlertetraedern und Leerstellen in dünnen Goldkristallen hervorgerufen werden, werden mit atomarer Auflösung in einem 100 keV-Hochauflösungselektronenmikroskop beobachtet und mit theoretischen Diagrammen verglichen, die mit und ohne Berücksichtigung der sie umgebenden Verzerrungen berechnet werden. Der Kontrast der sehr kleinen SFT, die durch Zusammenlagerung von mehreren Leerstellen und auch Zwischengitteratomen gebildet werden, wird durch Vergleich der beobachteten und theoretischen Diagramme, die mit Berücksichtigung der Umgebungsverzerrung berechnet werden, diskutiert. Es wird ebenfalls diskutiert, daß die isolierten Leerstellen in der Nähe der Basisfläche des Probenkristalls einen viel geringeren Helligkeitskontrast geben, als die in Nähe der oben liegenden Oberfläche. In situ-Beobachtungen des Verhaltens der Stapelfehlertetraeder unter Elektronenbestrahlung werden ebenfails durchgeführt.

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