ChemInform Abstract: GROWTH AND ELECTRICAL PROPERTIES OF CUPROUS TELLURIDE THIN FILMS

ChemInform Abstract

Mit Hinweis auf die vielfachen (opto-)elektronischen Anwendungen von CuzTe (bes. für Solarzellen) wurden die Transport-Phänomene bei der Vakuum-Verdampfung einer stöchiometrischen Ladung und die Bildung polykristalliner Filme von Cuz -"Te auf Glimmersub- - strat von 350°C mit Vakuum-Temperung (2 h) untersucht. Die erhaltenen Filme hatten eine große Zahl von Cu-Leerstellen. Ihre Transmissionseigenschaften (Messungen z.B. für 0.35 um Dicke bei Wellenlängen zwischen l und 2 um) zeigten eine Bandlücke von 0.8 eV, was Cu ,-9Te entspricht. Messungen des Hall-Koeffizienten und der Hall-Beweglichkeit bei 77-300 K zeigen eine vorherrschende Begrenzung der Beweglichkeit durch Streuung an Fehlstellen und ionisierten Verunreinigungen bei 77 bis 200 K, während oberhalb 200 Kder Einfluß von Gitterstreuung überwiegt.