ChemInform Abstract: CRYSTALLIZATION OF ULTRAFINE AMORPHOUS SILICON NITRIDE DURING SINTERING
Abstract
Durch Erhitzung einer Silan-NH3-Gasmischung durch einen 150 W-CO2-Laser wurden Si3N4-Pulver aus der Gasphase synthetisiert.
ChemInform Abstract
Durch Erhitzung einer Silan-NH3-Gasmischung durch einen 150 W-CO2-Laser wurden Si3N4-Pulver aus der Gasphase synthetisiert. Preßkörper von 1.25 cm Durchmesser wurden durch Kaltpressen des Pulvers hergestellt und gesintert. Oberhalb 1300°C kristallisieren die Pulver mit linearer Abnahme der Oberfläche. Eine partielle Verdichtung dieser Pulver (local densification) ohne Anwendung von Zusätzen oder Druck wurde beobachtet. (Die Versuche erfolgten im Hinblick auf die Anwendung von Si3N4 als Hochtemp.- Strukturmaterial.