ChemInform Abstract: ELECTRODEPOSITION OF SILICON ONTO GRAPHITE
Abstract
Elektrolytisch bei 0.75 V (gegen Pt oder Ag) und 745°C aus einer K2SiF6/LiK-KFSchmelze auf billigen Graphitsubstraten abgeschiedenes dichtes Si haftet gut auf der Unterlage, bildet kohärente Schichten von 0.2-0.5 mm Dicke, weist eine Säulenstruktur mit 250 um Korngröße auf, an Verunreinigungen enthält es weniger als 0.005% Cu, Fe und Ni, und sein Widerstand ist größer als l?-cm.
ChemInform Abstract
Elektrolytisch bei 0.75 V (gegen Pt oder Ag) und 745°C aus einer K2SiF6/LiK-KFSchmelze auf billigen Graphitsubstraten abgeschiedenes dichtes Si haftet gut auf der Unterlage, bildet kohärente Schichten von 0.2-0.5 mm Dicke, weist eine Säulenstruktur mit 250 um Korngröße auf, an Verunreinigungen enthält es weniger als 0.005% Cu, Fe und Ni, und sein Widerstand ist größer als l?-cm. Der Einsatz in Solarzellen wird diskutiert.
