ChemInform Abstract: REACTIVE PLASMA DEPOSITED SILICON-NITROGEN FILMS FOR MOS-LSI PASSIVATION
Abstract
In einem verbesserten radialen Strömungsreaktor werden aus NH3 und SiH4 in einem Hf-Plasma bei 275°C amorphe Si-N-Filme mit Si/N-Verhältnissen von 0.75-1.5, Dichten von 2.8-2.2g cm-3 , Brechungsindizees von 1.9-2.3, Druckspannungen von 2·109 dyn cm-2 und Zugspannungen bis zu 5·109 dyn cm-2 sowie elektrischen Widerständen bei 2·106 V cm-1 von 1020-104 Ω·cm synthetisiert.
ChemInform Abstract
In einem verbesserten radialen Strömungsreaktor werden aus NH3 und SiH4 in einem Hf-Plasma bei 275°C amorphe Si-N-Filme mit Si/N-Verhältnissen von 0.75-1.5, Dichten von 2.8-2.2g cm-3 , Brechungsindizees von 1.9-2.3, Druckspannungen von 2·109 dyn cm-2 und Zugspannungen bis zu 5·109 dyn cm-2 sowie elektrischen Widerständen bei 2·106 V cm-1 von 1020-104 Ω·cm synthetisiert. Der Prozess ist MOS-kompatibel und liefert relativ dicke (1 μm) bei 450-500°C rißbeständige Si-N-Filme mit exzellenter Stufenbedeckung und guter Adhäsion an Au- und Ag-Metallisierungen. Im einzelnen werden die Abscheidungsmethode, die Einflüsse der Abscheidungsparameter auf die Filmeigenschaften und die Vorteile solcher Filme für die Technologie der integrierten Si-Schaltkreise beschrieben.
