Preparative Inorganic Chemistry
Full Access
ChemInform Abstract: ISOTHERMAL SILICON LIQUID PHASE EPITAXY FROM SUPERSATURATED TIN
First published: July 25, 1978
Abstract
Aus übersättigten Sn-Schmelzen (Übersättigungen bis zu 30°C) lassen sich unter isothermen Bedingungen eptitaktische Si-Schichten züchten, die den durch epitaxiales Wachstum aus langsam abkühlenden Schmelzen erhaltenen Schichten bezüglich der Morphologie überlegen sind (nicht-gewellte, spiegelnde Oberflächen).
ChemInform Abstract
Aus übersättigten Sn-Schmelzen (Übersättigungen bis zu 30°C) lassen sich unter isothermen Bedingungen eptitaktische Si-Schichten züchten, die den durch epitaxiales Wachstum aus langsam abkühlenden Schmelzen erhaltenen Schichten bezüglich der Morphologie überlegen sind (nicht-gewellte, spiegelnde Oberflächen). Die Schichtdicke wächst linear mit der Übersättigung und mit /′f.
