ChemInform Abstract: SEMICONDUCTOR-METAL TRANSITION IN GERMANIUM-ARSENIC-TELLURIUM MELTS. I. ELECTRICAL CONDUCTIVITY
Abstract
Die elektrische Leitfähigkeit von Schmelzen der binären Systeme Ge-Te und As-Te sowie der ternären Schnitte Ge5AsxTe95-x und Gels AsxTewx wurde mit einer verbesserten elektrodenlosen Meßmethode bis 1000°C untersucht.
ChemInform Abstract
Die elektrische Leitfähigkeit von Schmelzen der binären Systeme Ge-Te und As-Te sowie der ternären Schnitte Ge5AsxTe95-x und Gels AsxTewx wurde mit einer verbesserten elektrodenlosen Meßmethode bis 1000°C untersucht. Alle Schmelzen zeigen bei hohen Temperaturen ein sehr ähnliches, nahezu metallisches Verhalten. Mit abnehmender Temperatur erfolgt ein Übergang zu halbleitendem Verhalten, der bei glasig erstarrenden Proben besonders ausgeprägt ist. Dieser Übergang ist eine Folge der Änderung des Bindungssystems und damit der Nahordnung der Atome in der Schmelze. Die dadurch bewirkte Änderung der Bandstruktur führt zu besonders hohen Werten der Aktivierungsenergie des elektrischen Widerstandes im Ubergangsgebiet.
