XTEM Studies of Nickel Silicide Growth on Si(100) Using a Ni/Ti Bilayer System
Abstract
enUsing a Ni/Ti bilayer system on Si(100) substrates we found a preferential growth of epitaxial NiSi2 at reaction temperatures of about 475 °C. This is attributed to the relatively slow Ni transport rate through the Ti layer, which acts as a diffusion rate limiting barrier. Annealing temperatures of 500 °C lead to the formation of mainly orthorhombic NiSi with a small fraction of NiSi2. The silicide phases grow with well defined orientations with respect to the underlying Si lattice for annealing temperatures up to 475 °C.
Abstract
deAn einem Ni/Ti-Zweischichtsystem auf Si(100)-Substraten fanden wir ein bevorzugtes Wachstum von epitaktischem NiSi2 bei Reaktionstemperaturen von 475 °C. Das wird auf die geringe Transportrate für Ni durch die Ti-Schicht, die als Barriere zur Begrenzung der Diffusionsrate dient, zurückgeführt. Temperaturen von 500 °C führen zur Bildung von hauptsächlich orthorhombischem NiSi und, in geringem Maß, von NiSi2. Bis zu Temperaturen von 475 °C wachsen die Silicidphasen mit definierten Orientierungen in Bezug auf das darunterliegende Si-Gitter.
